ほとんど自由な電子のモデルとは? わかりやすく解説

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ほとんど自由な電子のモデル

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2019/08/26 23:32 UTC 版)

空格子近似」の記事における「ほとんど自由な電子のモデル」の解説

アルミニウムのようなほとんどの単純金属では、スクリーニング効果により固体中のイオン電界大きく減少する静電ポテンシャルは以下の式で表される。 V ( r ) = Z e r eq r {\displaystyle V(r)={\frac {Ze}{r}}e^{-qr}} Z は原子番号、e は電荷基本単位、r は埋め込まれイオンであるへの距離、q はポテンシャル範囲決定するスクリーニングパラメータである。格子ポテンシャル V ( r ) {\displaystyle V(\mathbf {r} )} のフーリエ変換 U G {\displaystyle U_{\mathbf {G} }} は、ハミルトニアン逆格子ベクトル間の非対角要素 U G {\displaystyle U_{\mathbf {G} }} の値がほとんど0になるとき以下の式で表されるU G = 4 π Z e q 2 + G 2 {\displaystyle U_{\mathbf {G} }={\frac {4\pi Ze}{q^{2}+\mathbf {G} ^{2}}}} その結果バンドギャップ大きさ 2 | U G | {\displaystyle 2|U_{\mathbf {G} }|} が崩れ空格子近似得られる

※この「ほとんど自由な電子のモデル」の解説は、「空格子近似」の解説の一部です。
「ほとんど自由な電子のモデル」を含む「空格子近似」の記事については、「空格子近似」の概要を参照ください。

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