エフ‐イー‐ラム【FeRAM】
読み方：えふいーらむ
《ferroelectric RAM》⇒強誘電体メモリー
エフ‐ラム【FRAM】
読み方：えふらむ
《ferroelectric RAM》⇒強誘電体メモリー
きょうゆうでんたい‐メモリー〔キヤウイウデンタイ‐〕【強誘電体メモリー】
強誘電体メモリ
(ferroelectricRAM から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/05/12 01:56 UTC 版)
（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル（現・サイプレス・セミコンダクター[1]）による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用していた[2]。
注釈
出典
- ^ “Cypress Semiconductor has acquired Ramtron International Corporation” (英語). 2014年3月7日閲覧。
- ^ “強誘電体メモリ「FeRAM」への呼称変更のお知らせ” (2022年6月28日). 2024年3月3日閲覧。
- ^ 「新不揮発性メモリChainFeRAM」（PDF）『東芝レビュー』第56巻第1号、東芝、2001年1月、51-54頁。
- ^ “Deterministic arbitrary switching of polarization in a ferroelectric thin film”. Nature Communications 5 (Nature Publishing Group) (4971). (2014-09-18). doi:10.1038/ncomms5971.
- ^ 『強誘電体メモリー、超高密度化に道』（PDF）（プレスリリース）東北大学、2014年9月19日。
- ^ “東北大、強誘電体メモリの記録密度を大幅に向上させる可能性を示す”. マイナビ. (2014年9月22日)
- ^ “Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12” (PDF). APPLIED PHYSICS LETTERS (American Institute of Physics) 91 (062913). (2007-09-10). doi:10.1063/1.2768906.
- ^ (PDF) Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12. 理化学研究所. (2007-09-10).
- ^ 『FeRAM用新強誘電体薄膜の低温成膜に成功』（プレスリリース）富士通、2001年3月30日。
- ^ 『FRAM搭載LSIがFeliCa方式ICカードに採用』（プレスリリース）富士通、2006年11月7日。
[続きの解説]
「強誘電体メモリ」の続きの解説一覧
- 1 強誘電体メモリとは
- 2 強誘電体メモリの概要
- 3 構造と動作原理
- 4 強誘電体膜の材料
- 5 実用
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