EUV と ArF 液浸ダブルパターニングのリソース要件
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Utility200 W output EUV90 W output ArF immersion double patterningElectrical power (kW) 532 49 Cooling water flow (L/min) 1600 75 Gas lines 6 3 出典: ギガフォトン, SEMATECHシンポジウムジャパン, September 15, 2010 ダブルパターニングさえも使用した193nm液浸と比較して、EUVには必要な利用資源は著しくより大きい。ハイニックスは報告した2009年のEUVシンポジウムで電力変換効率(wall plug efficiency)はEUVで~0.02%であり、すなわち、処理能力100WPH(wafer per hour)を求め中間焦点で200Wを得るために、投入する電力は1MW必要であり、それに対してArF液浸スキャナーの場合165kWである。 また同じ処理能力においてさえ、EUVスキャナーの設置面積はArF液浸スキャナーの3xに達し、生産性の損失をもたらす。さらに、イオンデブリを封じ込めるために、超伝導電磁石が必要となるかもしれない。
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