窒化スカンジウム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/09 21:14 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動| 窒化スカンジウム | |
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Scandium nitride |
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別称
Azanylidynescandium
Nitridoscandium |
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| 識別情報 | |
| CAS登録番号 | 25764-12-9 |
| PubChem | 117629 |
| ChemSpider | 105117 |
| EC番号 | 247-247-2 |
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| 特性 | |
| 化学式 | ScN |
| モル質量 | 58.963 |
| 密度 | 4.4 g/cm3 |
| 融点 | 2600 °C, 2873 K, 4712 °F |
| 危険性 | |
| GHSピクトグラム |  |
| GHSシグナルワード | 危険(DANGER) |
| Hフレーズ | H228 |
| 関連する物質 | |
| その他の陰イオン | リン化スカンジウ ヒ化スカンジウム アンチモン化スカンジウ ビスマス化スカンジウ |
| その他の陽イオン | 窒化イットリウム 窒化ランタン |
| 特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 | |
窒化スカンジウム(Scandium nitride)は、III-V間接遷移半導体である。スカンジウム陽イオンと窒化物陰イオンから構成される。昇華と再凝縮により、タングステンホイル上に結晶を成長させることができる[1]。格子定数0.451 nmの岩塩型結晶構造であり、間接遷移が0.9 eV、直接遷移が2-2.4 eVである[1][2]。これらの結晶は、窒素ガスをインジウム-スカンジウム溶融物に溶解し、マグネトロンスパッタ堆積、分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法やその他の沈殿法により合成することができる[2][3]。窒化スカンジウムは、二酸化ケイ素または二酸化ハフニウム基板上の半導体の効果的なゲートでもある[4]。
出典
- ^ a b Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W (August 2004). “Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride”. Journal of Materials Science: Materials in Electronics 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c.
- ^ a b Biswas, Bidesh; Saha, Bivas (2019-02-14). “Development of semiconducting ScN”. Physical Review Materials 3 (2). doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301. ISSN 2475-9953.
- ^ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi (4 August 2016). “Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts”. International Journal of Applied Ceramic Technology 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576.
- ^ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang (13 January 2006). “Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2”. Japanese Journal of Applied Physics 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83.
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