正孔濃度
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/01/10 00:47 UTC 版)
「質量作用の法則 (半導体)」の記事における「正孔濃度」の解説
自由正孔濃度pも同様な式で与えられる。 p = N v exp [ − ( E F − E v ) k T ] {\displaystyle p=N_{v}{\text{ exp}}\left[-{\frac {(E_{F}-E_{v})}{kT}}\right]} ここで EFはフェルミ準位 Evは価電子帯のエネルギー kはボルツマン定数 Tはケルビン単位の温度 Nvは価電子帯端での有効状態密度で、 N v = 2 ( 2 π m h ∗ k T h 2 ) 3 / 2 {\displaystyle \textstyle N_{v}=2\left({\frac {2\pi m_{h}^{*}kT}{h^{2}}}\right)^{3/2}} と与えられる。m*hは正孔の有効質量、hはプランク定数である。
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