出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/08 04:51 UTC 版)
伝導帯の電子濃度を n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。 n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}}
※この「電荷中性の条件」の解説は、「不純物半導体」の解説の一部です。
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