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バイポーラトランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/30 20:57 UTC 版)

バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラ^{[注釈 1]}と呼ばれる。

脚注

注釈

^ 「2極の」という意味。
^ 点接触型のトランジスタは点接触部が機械的な衝撃やパッケージの熱膨張などで簡単に破損してしまうなど信頼性が非常に低かったため、信頼性にまさる接合型が発明され接合型の性能（周波数特性など）が向上すると、姿を消した。
^ 第2トランジスタのコレクタ-エミッタ間飽和電圧 ＜ 第1トランジスタのコレクタ-エミッタ間飽和電圧 ＋ 第2トランジスタのベース-エミッタ間電圧 のとき。