Si/SiGe CMOSおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタへの組み込み
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/26 23:17 UTC 版)
「共鳴トンネルダイオード」の記事における「Si/SiGe CMOSおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタへの組み込み」の解説
Si/SiGe RITDのSi CMOSへの組み込みは実証されている。Si/SiGe RITDとSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタとの積層も実証されており、PVCRを調整可能な3端子負性抵抗回路素子が実現されている。これらの成果から、Si/SiGe RITDはSi集積回路技術への組み込み候補として有力である。
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