酸化物半導体
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/08 04:44 UTC 版)
酸化物半導体（さんかぶつはんどうたい）は、半導体の一つ。金属をカチオンとして用いたものが大多数で、多くが広いバンドギャップを有し、可視光域の電磁波を透過する。中には高い電荷担体濃度や移動度を示すものもあり、これらの特徴を用いた様々な用途が考案されている。代表的なものに酸化亜鉛や二酸化スズ、酸化インジウムやITO（通常In2O3:SnO2 = 90:10 [wt%]）がある。多くは電子を電荷担体としたn型であるが、酸化銅や酸化銀、また一酸化スズなどの正孔を電荷担体としたp型も報告されている。代表的な用途としては透明伝導膜や超伝導、センサーなどが研究されている[1][2][3]。
- ^ Ito, M. "透明アモルファス酸化物半導体の電子ペーパーへの応用 (Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)."
- ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based TFT and Its Application for OLED)." 132.
- ^ 玉置純, 長岡忠仁, 山本善史, 松岡政夫、「Co3O4-Fe2O3複合体を用いた酸化物半導体センサのNOx検知特性」 『電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）』 1998年 118巻 2号 p.125-129, doi:10.1541/ieejsmas.118.125
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