化学気相蒸着法

デジタル大辞泉

かがくきそう‐じょうちゃくほう〔クワガクキサウジヨウチヤクハフ〕【化学気相蒸着法】

読み方：かがくきそうじょうちゃくほう

⇒化学気相成長法

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化学気相成長

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/12/07 06:39 UTC 版)

化学気相成長（かがくきそうせいちょう）、化学気相蒸着（かがくきそうじょうちゃく）または化学蒸着（CVD: chemical vapor deposition）は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。

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化学気相蒸着法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/06/03 01:42 UTC 版)

「合成ダイヤモンド」の記事における「化学気相蒸着法」の解説

炭化水素の混合気体による化学気相蒸着（CVD:chemical vapor deposition）を用いるもの。1980年代初頭、この方法は世界中の科学機関により研究対象にされ、容易で順応性の高いCVD装置は研究機関の間では人気がある。利点としては、様々な種類の基板上で広範囲にダイヤを成長させることができる点と、化学的な不純物の種類と量を細かく制御でき、それにより特性を自由に変化させたダイヤモンドの合成が可能な点である。大量生産には、前節の高温高圧法がより適しているが、高圧力環境を必要とせず、一般的に27kPa未満でダイヤモンドの成長が行われる。 CVD法では、合成基板の前処理と、チャンバー内の混合気体の種類とその比率が重要である。まず基板は、合成に適した材料とその結晶方位を選択しなければならない。基板の合成面をダイヤモンド粉末で傷付け処理を施し、ダイヤモンド成長に最適な基板表面温度（約800℃）を設定する。次に、合成ガスはメタンなどの炭素を含む気体と水素（メタンと水素の割合は1対99）を必要とする。非ダイヤモンド炭素をエッチングにより選択的に除去するため、水素は不可欠である。そして混合ガスはマイクロ波、熱フィラメント、アーク放電、電子ビームなどの方法で化学的に活性なラジカルへ励起させる。 注意点としては、プラズマ状態の気体によりチャンバー内の物質がエッチングされ、成長中のダイヤモンド内に取り込まれる点で、とくに気相合成ダイヤモンドには、装置に取り付けている透明の石英窓由来のケイ素が不純物として混入することがある。防止するには石英窓のない装置で合成するか、窓から基板を遠ざければよい。また、チャンバー内に非常に低濃度であってもホウ素を含む物質が存在すると、純粋なダイヤモンド合成には適さない。

化学気相蒸着(CVD)法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/26 01:42 UTC 版)

「石英ガラス」の記事における「化学気相蒸着(CVD)法」の解説

純度の高い石英ガラスを必要とする場合は、四塩化ケイ素 (SiCl4) の気体から化学気相蒸着 (CVD) によって製造する。例えば光ファイバーを製造する場合には、B（ホウ素）などを添加して屈折率が低くなるように調整した石英ガラスのチューブを用意し、その内側に前述の方法で SiO2 を析出させて作製する。