SI貫通電極

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Si貫通電極

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/10/22 22:11 UTC 版)

Si貫通電極（シリコンかんつうでんきょく、through-silicon via、TSV）とは、電子部品である半導体の実装技術の1つであり、シリコン製半導体チップの内部を垂直に貫通する電極のことである。複数枚のチップを積ねて1つのパッケージに収める場合に、従来ではワイヤ・ボンディングで行なわれている上下のチップ同士の接続をこの貫通電極で行なう。