サブストレートの容量性結合

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サブストレートの容量性結合

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/05/26 03:19 UTC 版)

「Si貫通電極」の記事における「サブストレートの容量性結合」の解説

TSVは誘電体によってシリコン・サブストレートから金属接点が離されるために、それがサブストレートに対して容量結合のように振る舞う。今後、（例えば、GHz、またはそれ以上の）高速動作では、この容量性結合インピーダンスが劇的に減少してしまい、隣り合うTSV同士の望まないクロストークが生じてしまう。