遅延記憶装置
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/09/11 06:59 UTC 版)
- ^ 『ウィルクス自伝』12章、p. 156
- ^ 情報処理学会コンピュータ博物館 によれば金石舎研究所（後の京セラクリスタルデバイス）の協力による開発
- ^ 磁歪遅延線の解説と実装例（詳細不明）は、中野馨『脳をつくる』の pp. 137-138, p. 144 にある。
- ^ 磁歪遅延線がETL Mark IVで使われたとしているウェブページがあるが、開発者の一人である高橋茂著『コンピュータ クロニクル』 p.14 には、トランジスタの速度を下げたため、動作速度を下げると容量的に不利な遅延線は止め、磁気ドラムを採用した、とある。
- ^ “Olympia Model CD-400 Desk Calculator”. John Wolff's Web Museum. 2021年9月11日閲覧。
- ^ “OLYMPIA: CD400”. CALCUSEUM. 2021年9月11日閲覧。
- ^ 『日本のコンピュータの歴史』 pp. 155-172、第8章「MARS-1」
- ^ 『ACMチューリング賞講演集』 p. 235 。なお、『ウィルクス自伝』p. 169 によれば、精製された水銀ではなく商業用品質のものを使用したところ、タンク毎に音速が違うという問題が出た、とあり、媒体はそうなんでも良いというわけではない。同書 p. 176 にはおそらくこのチューリングの提案を指して「彼の能力の範囲外」という言葉があるので、独創的というよりは奇案に属するようである。
- ^ 『日本のコンピュータの歴史』（1985） p. 69
- ^ https://www.nhk.or.jp/strl/vision/r6/r6-2-1.htm
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- 2 遅延記憶装置の概要
- 3 ギャラリー
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