キルビー特許
キルビー特許とは、米国のテキサス・インスツルメンツが特許申請を行った、半導体集積回路の基本的構造に関する特許のことである。発明者ジャック・キルビーの名前にちなんでキルビー特許と呼ばれている。
キルビー特許の内容は、半導体基板の上にトランジスタをはじめとする素子を配置し、導体で配線するという、今日の半導体集積回路の最も基本的な原理に関わるものである。発明者ジャック・キルビーはこの発明により2000年にノーベル物理学賞を受賞している。
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キルビー特許の内容は、半導体基板の上にトランジスタをはじめとする素子を配置し、導体で配線するという、今日の半導体集積回路の最も基本的な原理に関わるものである。発明者ジャック・キルビーはこの発明により2000年にノーベル物理学賞を受賞している。
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