出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/12/10 05:34 UTC 版)
「パワーMOSFET」の記事における「PチャネルMOSFET」の解説
図のPとNを反転し、P+基板上にPエピタキシャル層を形成し、表面側にNボディと高濃度P層を形成したPチャネルMOSFETも存在する。この構造では、主要なキャリアが正孔であり、電子と比較すると移動度が低くなる為にオン抵抗が大きくなり、NチャネルMOSFETと比較するとスイッチング特性が悪くなる。
※この「PチャネルMOSFET」の解説は、「パワーMOSFET」の解説の一部です。
「PチャネルMOSFET」を含む「パワーMOSFET」の記事については、「パワーMOSFET」の概要を参照ください。
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