OCMG法(酸素制御溶融法)
Oxygen Controlled Melt Growthの略で、RE123系バルク超電導体の結晶成長法の一種。溶融成長(Melt Growth)法とは、一旦、超電導体の分解温度以上に加熱して溶融させてから冷却し結晶成長を行うもので、結晶粒を大きくすることができる。通常、種結晶を用いて一つの結晶粒のみを大きく成長させる手法が併用される。また、結晶化の際、第2相であるRE211常電導相がRE123系バルク超電導相内に析出される。この析出相がピン止め点として作用し、高臨界電流密度および高臨界磁場を達成し、その結果として高い磁場発生を得ることができる。LRE123(LRE:軽希土類元素)系の場合、LREとBaの置換による超電導転移温度の低下が生じやすいが、結晶成長中に酸素分圧制御(Oxygen Controlled)することでこの置換を抑制し高特性の超電導体を作製することができる。
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