出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/09/26 04:03 UTC 版)
「イオン注入」の記事における「素子分離(アイソレーション)」の解説
ヒ化ガリウム等の化合物半導体では、素子間の分離(アイソレーション)にイオン注入を用いる場合がある。イオン注入がエピ構造を破壊すると同時に、ドーパントがバンドギャップ中に深い準位を形成し、高抵抗となる。
※この「素子分離(アイソレーション)」の解説は、「イオン注入」の解説の一部です。
「素子分離(アイソレーション)」を含む「イオン注入」の記事については、「イオン注入」の概要を参照ください。
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