出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/07/16 17:45 UTC 版)
P型半導体基板結晶上にN型およびP型の両ドーパントを含む半導体の粉末を乗せて一気に表面を加熱して表面だけを溶融して一気に冷却する事により、P型及びN型のドーパントの拡散速度の違いを利用して短時間でトランジスタの構造を形成する。
※この「溶融拡散法」の解説は、「拡散型トランジスタ」の解説の一部です。
「溶融拡散法」を含む「拡散型トランジスタ」の記事については、「拡散型トランジスタ」の概要を参照ください。
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