ヘテロ接合 (半導体)
(半導体-半導体接合 から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/03 10:01 UTC 版)
ナビゲーションに移動 検索に移動
|
この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。
出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。（2013年11月） |
ヘテロ接合（英語：heterojunction）とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。
応用
バンドギャップの違いを利用したもの
半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合することになる(このバンドの接合についてはアンダーソンの法則を参照)。この2つの半導体のエネルギーバンドの差を利用した研究（量子井戸、超格子など）が盛んに行われている。応用例としては、太陽電池（HIT）、半導体レーザー、HEMT、HBTなどがある。
結晶成長の応用（ヘテロエピタキシャル）
結晶成長技術の1つにエピタキシャル成長がある。これは、基板の上に結晶成長を行う方法である。成長させる結晶と同一の結晶の基板を作製することが困難な場合、成長させる結晶とは異なる基板が用いられる。
関連項目
- ホモ接合
- 単一ヘテロ接合
- ダブルヘテロ接合
- ジョレス・アルフョーロフ
- 半導体-半導体接合のページへのリンク
