バンド間共鳴トンネルダイオード
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/03/26 23:17 UTC 版)
「共鳴トンネルダイオード」の記事における「バンド間共鳴トンネルダイオード」の解説
共鳴バンド間トンネルダイオード(RITD)は「バンド内」共鳴トンネルダイオード(RTD)と、従来の「バンド間」トンネルダイオードの構造とふるまいを組み合わせたもので、伝導帯端上の量子井戸のエネルギー準位と価電子帯端上の量子井戸のエネルギー準位との間で起こる遷移を利用する。共鳴バンドトンネルダイオードと同様、バンド間共鳴トンネルダイオードはIII-V族半導体やSi/SiGe系材料を用いて実現することができる。
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