ナローギャップ半導体とは? わかりやすく解説

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ナローギャップ半導体

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/06/04 09:54 UTC 版)

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ナローギャップ半導体(ナローギャップはんどうたい)とは、band gapがケイ素に比べて比較的小さい(室温で1.11eVより小さい)半導体のこと。赤外線検出器や熱電変換素子などに用いられる。

narrow-gap半導体の一覧

名前 化学式 グループ バンドギャップ(300K)
テルル化カドミウム水銀 Hg1-xCdxTe II-VI 0 から 1.5eV
テルル化亜鉛水銀 Hg1-xZnxTe II-VI -0.15 から 2.25 eV
セレン化鉛 PbSe IV-VI 0.27 eV
硫化鉛(II) PbS IV-VI 0.37 eV
テルル化鉛 PbTe IV-VI 0.32 eV
ヒ化インジウム InAs III-V 0.354 eV
アンチモン化インジウム InSb III-V 0.17 eV
アンチモン化ガリウム GaSb III-V 0.67 eV
ヒ化カドミウム Cd3As2 II-V 0.5 から 0.6 eV
テルル化ビスマス Bi2Te3 0.21 eV
テルル化スズ SnTe IV-VI 0.18 eV
セレン化スズ SnSe IV-VI 0.18 eV
セレン化銀(I) Ag2Se 0.07 eV
ケイ化マグネシウム Mg2Si II-IV 0.73 eV[1]

こちらもご覧ください

参考資料

  1.  Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.
  • Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics 98, ISBN 978-3-540-12091-9 (print) ISBN 978-3-540-39531-7 (online)
  • Nimtz, G. (1980), Recombination in Narrow-Gap Semiconductors, Physics Reports, 63, 265-300
  1. ^ Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.



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