ダイオード以外のバリキャップ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/09/22 14:23 UTC 版)
「バリキャップ」の記事における「ダイオード以外のバリキャップ」の解説
バリキャップには、ダイオード以外のものもある。CMOSプロセスでは、低濃度の不純物を注入したN型領域(Nウェル)に高濃度の不純物を注入したP型領域(P+型)を作ることでバリキャップが形成される。こうした接合部の静電容量は、低濃度の不純物を注入したP型の領域(Pウェル)にN+注入したNMOSトランジスタ(PN接合でもある)と同様に作用する。
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