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しー・えむ・ぴー
化学的機械研磨技術 Chemical Mechnical Polishing （またはPlanarization) の略称。LSIデバイスの高速動作を狙って、デバイス製作後のウエハ面の各チップ上に電気回路を多層にわたって積み重ねる技術の総称でもある。そこでは多層配線の層間ガラス膜の平坦研磨、配線銅めっき膜の研磨などが必要であり、それらの研磨のメカニズムに化学作用を伴う機械的研磨があるとしている。米国のSami規格では、シリコンウエハの湿式メカノケミカルポリシングをケム・メカニカルポリシング(Chem. Mechanical Polishing)と称し、CMPで表す場合がある。
化学的機械研磨技術 Chemical Mechnical Polishing （またはPlanarization) の略称。LSIデバイスの高速動作を狙って、デバイス製作後のウエハ面の各チップ上に電気回路を多層にわたって積み重ねる技術の総称でもある。そこでは多層配線の層間ガラス膜の平坦研磨、配線銅めっき膜の研磨などが必要であり、それらの研磨のメカニズムに化学作用を伴う機械的研磨があるとしている。米国のSami規格では、シリコンウエハの湿式メカノケミカルポリシングをケム・メカニカルポリシング(Chem. Mechanical Polishing)と称し、CMPで表す場合がある。
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