EDO DRAM
読み方：エドーディーラム
別名：ハイパーページモード
EDO DRAMとは、DRAMの一種で、データを読み出す際のタイミングを改善することによって転送速度の向上を図ったDRAMのことである。
EDO DRAMでは、あるデータのアドレスをCPUへ読み出している最中に、次に読み込むべきデータのアドレスの検索を始める。これによって、データ読み出しの際の待機時間を減少させ、全体としての高速化を実現している。
EDO DRAMは、それまで使用されてきた高速ページモードに替わって登場した方式で、ハイパーページモードと呼ばれることもある。より高速なSDRAMが登場するまでは、EDO DRAMはパソコンのメインメモリなどとして広く利用されていた。
Dynamic Random Access Memory
(EDO DRAM から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/12/14 13:51 UTC 版)
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで情報を保持する記憶素子である。放置すると電荷が放電し情報が喪われるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とする。やはりRAMの1種であるSRAMがリフレッシュ不要であるのに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、SRAMに対して大容量を安価に提供できるという利点から、コンピュータの主記憶装置やデジタルテレビやデジタルカメラなど多くの情報機器において、大規模な作業用記憶として用いられている。
注釈
- ^ CCDに代わる画像素子として、1988年にMicron Technology社よりOptic RAMという商品名で発売された。
- ^ 米インテルは、磁気コアメモリに代わるメモリとして、DRAM製造に着手していたが、ダイの状態では問題がないにもかかわらず、パッケージにするとソフトエラーが多発する問題に遭遇した。原因を究明すると、パッケージのセラミックスにアルファ線を放出する物質が含まれていることが判明した。インテルは、パッケージ製造元である京セラに対して、この現象を極秘にするよう要請し、DRAM用パッケージは京セラが作った特注パッケージを使用した。そのため、インテル自身がインテル・1と呼ぶ半導体巨大企業へ発展する第一歩は、ソフトエラーの対策ノウハウを秘密にすることにより、市場から競合メーカーを追い出すことから始まったとされる。なお、この事実は、電子立国日本の自叙伝 単行本において、インテル自身によって解説された。
- ^ 世界最薄DRAM開発、エルピーダメモリ。本県で生産、出荷へ 秋田魁新報 2011年6月23日
- ^ 韓国Samsung Electronics社は2009年6月17日に、サーバー向けにパッケージあたり16GビットのレジスタードDDR3モジュールを開発したと発表した。電源電圧は1.35Vで1つ4Gビットのダイを4枚内蔵している。
- ^ 512Mビット（64M語×8、DDR2 667Mビット/秒）製品の価格が2006年11月は6.5米ドルだったものが2008年12月8日0.31米ドルまで低下した。
- ^ 2008年第算四半期の決算では、Samsung社が前年同期比約78%減ながら1,900億ウォンの営業利益を、Hynix社が4,650億ウォンの、エルピーダメモリ社が245億円の営業損失を報告した。
出典
- ^ “How to "open" microchip and what's inside? : ZeptoBars” (2012年11月15日). 2016年3月14日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年4月2日閲覧。 “Micron MT4C1024 — 1 mebibit (220 bit) dynamic ram. Widely used in 286 and 386-era computers, early 90s. Die size - 8662x3969µm.”
- ^ 業界に痕跡を残して消えたメーカー DRAMの独自技術を持ちながらも倒産したQimonda
- ^ a b DRAM The Invention of On-Demand Data - IBM
- ^ 小林春洋著 『わかりやすい高密度記録技術』 日刊工業新聞社 2008年9月28日発行 ISBN 978-4-526-06129-5
- ^ “集積回路工学第2 講義資料: 第12回: DRAM”. ifdl.jp. 金沢大学 理工学域. 2022年1月15日閲覧。
- ^ a b c 菊池正典監修 『半導体とシステムLSI』 日本実業出版社、2006年7月1日初版発行、ISBN 4-534-04086-5
- ^ [1]
- ^ 神保進一著 『マイクロプロセッサ テクノロジ』 日経BP社 1999年12月6日発行 ISBN 4-8222-0926-1
- ^ 『負の連鎖から脱出せよ』 日経エレクトロニクス 2009年1月12日号 37-69頁
- ^ JETROニュースページ 『半導体大手キマンダが倒産−1万人の雇用に影響か−（ドイツ）』
- ^ computerworld
- ^ “エルピーダメモリ産業活力の再生及び産業活動の革新に関する特別措置法の認定取得に関するお知らせ” (PDF). エルピーダメモリ株式会社 (2009年6月30日). 2011年2月12日閲覧。
- ^ エルピーダが経営破綻 会社更生法の適用申請へ - MSN産経ニュース
- ^ Micron、エルピーダメモリの買収を完了 - PC Watch
- ^ チキンゲーム勝者の笑顏…SKハイニックス、営業利益1兆ウォンの新記録 | Joongang Ilbo | 中央日報
- 1 Dynamic Random Access Memoryとは
- 2 Dynamic Random Access Memoryの概要
- 3 データアクセスの方法
- 4 リフレッシュ
- 5 技術の変遷
- 6 種別
- 7 DRAM業界
- 8 脚注
EDO DRAM
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/03 03:53 UTC 版)
「Dynamic Random Access Memory」の記事における「EDO DRAM」の解説
従来のDRAMでは、データ読み出し時にデータ出力信号が安定出力されるまでは、次のカラムアドレスを与えることが出来なかったのに対し、EDO DRAM（Extended Data Output DRAM）ではデータ出力線にデータラッチを設けることで、データ出力のタイミングと次のカラムアドレスの受付タイミングとをオーバーラップしている。Pentiumなどの66MHzのCPUではウェイト数を高速ページモードの2クロックからEDOの1クロックへと高速化できた。21世紀初頭に於いてはモノクロページプリンタのバッファメモリに用いられるなどして残っていたが、組込向けCPUが高速化され処理が複雑化した2010年以降はほとんど使用されていない。 日立 HM514405（4M(1M×4)ビット） 東芝 TC514405（4M(1M×4)ビット） NEC µPD424405（4M(1M×4)ビット）など
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