Dynamic Random Access Memoryとは? わかりやすく解説

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ダイナミック‐ラム【dynamic RAM】

読み方:だいなみっくらむ

《dynamic random-access memory》⇒ディーラムDRAM


DRAM

フルスペル:Dynamic Random Access Memory
読み方ディーラム
別名:Dynamic RAMダイナミックRAM

DRAMとは、半導体メモリ一種で、コンデンサ電荷蓄積することで情報保持するタイプ半導体メモリのことである。

DRAMは、コンデンサ電荷あるかないかを、2進法の0と1に対応させることで、データ記憶を行う。コンデンサ1個に対して1ビット情報与えられる蓄えられ電荷は、放置する自然に放電されてしまうので、記憶内容保持し続けるために、リフレッシュ呼ばれる再度データ書き込み周期的に行われる

DRAMはRAMRandom Access Memory)と呼ばれる半導体メモリ方式一種である。RAM分類としては、DRAMの他にSRAMStatic RAM)がある。SRAMトランジスタによって構成されるフリップフロップ回路利用して、0と1を記憶している。このため、DRAMのようにリフレッシュを行わなくてもデータ保持し続けることが可能となっている。リフレッシュ必要なDRAMは「Dynamic動的なRAM」、リフレッシュ不要なSRAMは「Static静的な)RAM」である。

DRAMではリフレッシュ行っている限りにおいてデータ保持し続けることが可能であるが、電源供給止める放電されデータ消失する。なお、SRAM同様に電源供給なくなればデータ消失する

DRAMは記憶素子1個につき1ビット情報を持つことができるが、SRAMでは記憶素子を6個の用いて1ビット情報を持つ。このため、同じRAM一種でもSRAMよりDRAMの方が、より高密度化大容量化を容易に、かつ低コスト実現できる大容量低コスト半導体メモリ需要高く今日ではメモリ仕組みとしてもっぱらDRAMが採用されている。

DRAMは、データへのアクセス方法アクセス速度などの違いにより、EDO DRAMバーストEDO DRAMSDRAMDDR SDRAMDDR2 SDRAMDDR3 SDRAMなど複数種類分かれる2008年8月現在、PCメインメモリとしては、DDR2 SDRAMが主に利用されている。

なお、パソコン用メモリは、DRAM単体ではなく複数のDRAMをひとつの基板上に搭載したメモリモジュールとして市販されている。

半導体メモリのほかの用語一覧
RAM:  DDR400  DDR2 SDRAM  DDR3 SDRAM  DRAM  DDR SDRAM  DDR2-1000  DDR2-533

Dynamic Random Access Memory

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/12/14 13:51 UTC 版)

Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、チップ中に形成された小さなキャパシタ電荷を貯めることで情報を保持する記憶素子である。放置すると電荷が放電し情報が喪われるため、常にリフレッシュ(記憶保持動作)を必要とする。やはりRAMの1種であるSRAMがリフレッシュ不要であるのに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、SRAMに対して大容量を安価に提供できるという利点から、コンピュータの主記憶装置デジタルテレビデジタルカメラなど多くの情報機器において、大規模な作業用記憶として用いられている。


注釈

  1. ^ CCDに代わる画像素子として、1988年にMicron Technology社よりOptic RAMという商品名で発売された。
  2. ^ インテルは、磁気コアメモリに代わるメモリとして、DRAM製造に着手していたが、ダイの状態では問題がないにもかかわらず、パッケージにするとソフトエラーが多発する問題に遭遇した。原因を究明すると、パッケージのセラミックスアルファ線を放出する物質が含まれていることが判明した。インテルは、パッケージ製造元である京セラに対して、この現象を極秘にするよう要請し、DRAM用パッケージは京セラが作った特注パッケージを使用した。そのため、インテル自身がインテル・1と呼ぶ半導体巨大企業へ発展する第一歩は、ソフトエラーの対策ノウハウを秘密にすることにより、市場から競合メーカーを追い出すことから始まったとされる。なお、この事実は、電子立国日本の自叙伝 単行本において、インテル自身によって解説された。
  3. ^ 世界最薄DRAM開発、エルピーダメモリ。本県で生産、出荷へ 秋田魁新報 2011年6月23日
  4. ^ 韓国Samsung Electronics社は2009年6月17日に、サーバー向けにパッケージあたり16GビットのレジスタードDDR3モジュールを開発したと発表した。電源電圧は1.35Vで1つ4Gビットのダイを4枚内蔵している。
  5. ^ 512Mビット(64M語×8、DDR2 667Mビット/秒)製品の価格が2006年11月は6.5米ドルだったものが2008年12月8日0.31米ドルまで低下した。
  6. ^ 2008年第算四半期の決算では、Samsung社が前年同期比約78%減ながら1,900億ウォンの営業利益を、Hynix社が4,650億ウォンの、エルピーダメモリ社が245億円の営業損失を報告した。

出典

  1. ^ How to "open" microchip and what's inside? : ZeptoBars” (2012年11月15日). 2016年3月14日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年4月2日閲覧。 “Micron MT4C1024 — 1 mebibit (220 bit) dynamic ram. Widely used in 286 and 386-era computers, early 90s. Die size - 8662x3969µm.”
  2. ^ 業界に痕跡を残して消えたメーカー DRAMの独自技術を持ちながらも倒産したQimonda
  3. ^ a b DRAM The Invention of On-Demand Data - IBM
  4. ^ 小林春洋著 『わかりやすい高密度記録技術』 日刊工業新聞社 2008年9月28日発行 ISBN 978-4-526-06129-5
  5. ^ 集積回路工学第2 講義資料: 第12回: DRAM”. ifdl.jp. 金沢大学 理工学域. 2022年1月15日閲覧。
  6. ^ a b c 菊池正典監修 『半導体とシステムLSI』 日本実業出版社、2006年7月1日初版発行、ISBN 4-534-04086-5
  7. ^ [1]
  8. ^ 神保進一著 『マイクロプロセッサ テクノロジ』 日経BP社 1999年12月6日発行 ISBN 4-8222-0926-1
  9. ^ 『負の連鎖から脱出せよ』 日経エレクトロニクス 2009年1月12日号 37-69頁
  10. ^ JETROニュースページ 『半導体大手キマンダが倒産−1万人の雇用に影響か−(ドイツ)』
  11. ^ computerworld
  12. ^ エルピーダメモリ産業活力の再生及び産業活動の革新に関する特別措置法の認定取得に関するお知らせ” (PDF). エルピーダメモリ株式会社 (2009年6月30日). 2011年2月12日閲覧。
  13. ^ エルピーダが経営破綻 会社更生法の適用申請へ - MSN産経ニュース
  14. ^ Micron、エルピーダメモリの買収を完了 - PC Watch
  15. ^ チキンゲーム勝者の笑顏…SKハイニックス、営業利益1兆ウォンの新記録 | Joongang Ilbo | 中央日報



「Dynamic Random Access Memory」の例文・使い方・用例・文例

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