ランダムドーパントゆらぎの依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/09 07:58 UTC 版)
「閾値電圧」の記事における「ランダムドーパントゆらぎの依存性」の解説
ランダムドーパントゆらぎ（RDF）は、注入された不純物濃度の変動によるある種の過程の変動である。MOSFETにおいてチャネル領域のRDFは、トランジスタの特性、特に閾値電圧を変える。新しいプロセス技術において、RDFはより大きな効果を持つ。なぜならドーパントの総数は、少ないためである。 同じ製造プロセスを経験したデバイス間の閾値電圧の変動につながるドーパント変動を抑制するための研究が行われている。
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