ナノインプリント・リソグラフィ ナノインプリント・リソグラフィの概要

ウィキペディア

ナノインプリント・リソグラフィ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/03/14 05:55 UTC 版)

この記事は英語版の対応するページを翻訳することにより充実させることができます。（2021年10月） 翻訳前に重要な指示を読むには右にある[表示]をクリックしてください。 英語版記事を日本語へ機械翻訳したバージョン（Google翻訳）。 万が一翻訳の手がかりとして機械翻訳を用いた場合、翻訳者は必ず翻訳元原文を参照して機械翻訳の誤りを訂正し、正確な翻訳にしなければなりません。これが成されていない場合、記事は削除の方針G-3に基づき、削除される可能性があります。 信頼性が低いまたは低品質な文章を翻訳しないでください。もし可能ならば、文章を他言語版記事に示された文献で正しいかどうかを確認してください。 履歴継承を行うため、要約欄に翻訳元となった記事のページ名・版について記述する必要があります。記述方法については、Wikipedia:翻訳のガイドライン#要約欄への記入を参照ください。 翻訳後、{{翻訳告知|en|Nanoimprint_lithography|…}}をノートに追加することもできます。 Wikipedia:翻訳のガイドラインに、より詳細な翻訳の手順・指針についての説明があります。

従来のパターン作成には縮小投影型露光装置（ステッパー）が使用されていたが、微細化に伴い、極端紫外線露光装置の価格とパターンマスクの価格が高騰していて、導入に躊躇する半導体メーカーが続出しており、普及の妨げになっていた^{[1][注 1]}。ナノインプリント・リソグラフィが普及すれば生産性が向上し、半導体の製造コストの低減に大きく貢献する事が予想される^[1]。

一方、インプリント・リソグラフィには『パーシャルフィールド』という特有の問題もある^[2]。