high-κ材料の必要性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/06/07 02:21 UTC 版)
「High-κ絶縁体」の記事における「high-κ材料の必要性」の解説
ゲート酸化物として数十年間にわたって使われてきたのは二酸化ケイ素(SiO2)である。トランジスタが小さくなり二酸化ケイ素ゲート絶縁体の厚さが着実に薄くなったことで、ゲート容量と駆動電流は増加したが、デバイス性能は向上した。厚さが2nm未満になると、トンネル効果によるリーク電流が劇的に増加し、その結果消費電力は増加し、デバイスの信頼性は減少した。ゲート絶縁体を二酸化ケイ素からhigh-κ材料に置き換えることで、リーク効果無しでゲート容量を増加させることができる。
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