chemical mechanical polishing

デジタル大辞泉

シー‐エム‐ピー【CMP】

読み方：しーえむぴー

《chemical-mechanical polishing》砥粒または研磨液がもつ化学成分の作用とともに研磨すること。シリコンウエハーの平坦化をはじめ、半導体製造における重要な工程の一つとなっている。化学機械研磨。

走査電子顕微鏡基本用語集

化学的機械研磨　CMP: chemical-mechanical polishing

アルミナ、シリカ、ジルコニアなどの砥粒を反応性の溶媒に懸濁した研磨剤を使うことで、機械的な研磨と化学的な研磨を同時に行う方法。極めて平滑な研磨面が得られると同時に、研磨面表層の加工歪みも小さいので、ECC像を得るときやEBSDのための試料作製に使われる。

関連する用語

• ECC像
• EBSD

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化学機械研磨

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/09/11 10:08 UTC 版)

化学機械研磨（かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤（砥粒）自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨（表面除去）効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。