反転層
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出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/10/25 14:59 UTC 版)
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半導体における反転層（Inversion layer）とは、不純物半導体の表面に少数キャリアが集まってできた層のこと。n型半導体の場合は正孔の層、p型半導体の場合は電子の層が形成される。MOSキャパシタやMOSFETの酸化物/半導体界面などで見られる。
反転層を形成している電子は二次元電子ガスであり、量子ホール効果等が観測されている[1]。
参考文献
- ^ K. v. Klitzing; G. Dorda; M. Pepper (1980). “New method for high-accuracy determination of the fine-structure constant based on quantized Hall resistance”. Phys. Rev. Lett. 45 (6): 494–497. Bibcode: 1980PhRvL..45..494K. doi:10.1103/PhysRevLett.45.494.
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