出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/09/14 07:59 UTC 版)
「基板接合」の記事における「陽極接合(Anode bonding)」の解説
シリコン基板とシリコンの熱膨張係数が近いガラスを接合する方法。シリコンとガラスを合わせ400～500V程度の電圧を印加しながら加熱するとガラス中のイオンが接合界面に移動し共有結合が起こり強固に接合される。主にパッケージングやMEMSデバイス作製に用いられる
※この「陽極接合(Anode bonding)」の解説は、「基板接合」の解説の一部です。
「陽極接合(Anode bonding)」を含む「基板接合」の記事については、「基板接合」の概要を参照ください。
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