抵抗変化メモリーとは？ わかりやすく解説

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ていこうへんか‐メモリー〔テイカウヘンクワ‐〕【抵抗変化メモリー】

読み方：ていこうへんかめもりー

《resistance RAM》電圧を印加したときに電気抵抗が大きく変化する効果を利用して情報を記憶する不揮発性メモリーの一種。消費電力が小さく、データを読み出す時間が短いという長所がある。ReRAM(アールイーラム・リラム)。RRAM(アールラム)。


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