広禁制帯幅半導体
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2017/07/04 14:08 UTC 版)
「電力用半導体素子」の記事における「広禁制帯幅半導体」の解説
広禁制帯幅半導体によってシリコンを置き換える飛躍的な電力用半導体として期待される。現時点で炭化ケイ素(SiC)は最も有力である。SiC ショットキーダイオードは耐圧が1,200 Vで1,200 V JFETとして市販されている。大電流と高速性を併せ持つ。バイポーラ素子は(20 kVまでの)高電圧のために開発された。この利点により、炭化ケイ素は(400°Cまでの)高温でシリコンよりも熱抵抗が小さく、冷却が容易である。また窒化ガリウム(GaN)も高周波半導体素子として有望である。
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