レートグローン形
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/11/06 05:55 UTC 版)
ドナー不純物とアクセプタ不純物をともに少量含ませた溶液から引き上げるものである。引き上げる速度を速くするとP型半導体が成長し、遅くするとN型半導体が成長する。ベース領域が厚くなるため高周波特性を良くすることが困難である。
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