ブロックとページの弊害
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/03 16:41 UTC 版)
「NAND型フラッシュメモリ」の記事における「ブロックとページの弊害」の解説
上記のように消去動作は複数ページを含むブロック単位でしか行えず、また、1動作では上書きできずに消去してから書き込みを行う必要があるため、1ページの書き替えでも（SLCの場合）一度1ブロック64ページ全ての内容をNAND型フラッシュメモリの外部に読み出して、一時的に保持しておき、1ブロック64ページ全てを消去する必要がある。NAND型フラッシュメモリの外部の記憶領域で必要な書き換えの加工処理を行ってから、その消去済みのブロックに改めて書き戻す動作が行われる。
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