シリコンプロセス
電子制御機器、携帯電話機、コンピューターで使われる半導体製品の主役は、シリコンウエハーにフォトリソグラフィ工法で製造した大量のチップ型トランジスター、ダイオード、これらで構成したIC 、センサーエレメントなどである。需要の急速な拡大に伴い、これら半導体製品の母材である単結晶型円形ウエハーの直径は3→4→6→8インチと大型化の一途をたどっているが、このシリコンウエハー上に、回路を形成する工程をシリコンプロセスという。その手順はおおむね次のとおり。単結晶シリコンのインゴットは、融点1412℃以上に加熱したるつぼから、種結晶を徐々に引き上げながら、高純度の結品を大型るつぼ内で成長させる。インゴットから厚さ1~数ミリの薄いウエハーを切り出し、研摩して鏡のように平坦な基板に仕上げる。表面の酸化、フォトリソグラフィによるパターン焼付け、エッチングを繰り返して素子と回路を構成し、ダイシングで切り分け、ワイヤボンディング、パッケージングを行う。各段階で目視検査を含む厳格な検査が実施される。
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