絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2024/09/09 00:45 UTC 版)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、: insulated-gate bipolar transistorIGBT)は半導体素子のひとつで、NPNPの4層からなりMOSゲートSCRまたはMOSゲートサイリスタ英語版と同じ構造でありながら、全動作領域でサイリスタ動作を完全に抑え込み、トランジスタ動作のみをさせるように設計した、MOSゲートで電流を制御するバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。




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