絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/09/09 00:45 UTC 版)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、NPNPの4層からなりMOSゲートSCRまたはMOSゲートサイリスタと同じ構造でありながら、全動作領域でサイリスタ動作を完全に抑え込み、トランジスタ動作のみをさせるように設計した、MOSゲートで電流を制御するバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。