植之原道行とは？わかりやすく解説

植之原道行
うえのはらみちゆき植之原道行
研究分野	電子デバイス ; 半導体デバイス
研究機関	オハイオ州立大学 (OSU) ; ベル研究所 (OSU); 日本電気 (NEC); 多摩大学大学院
出身校	オハイオ州立大学 (Ph. D.)
主な業績	GaAsパラメトリック増幅器の開発
主な受賞歴	功績賞 (電子情報通信学会) ; 高柳記念賞; IEEE Microwave Pioneer 賞; IEEE Frederic Philips 賞; 紺綬褒章
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植之原道行（うえのはらみちゆき、1925年 9月5日 - 2007年 12月19日^[1]）は日本の電子工学者（電気工学者）、技術経営者。米国オハイオ州立大学博士（Doctor of Philosophy）、工学博士。AT&T ベル研究所主任、日本電気（NEC）中央研究所所長、専務取締役、副社長、最高技術経営者、特別顧問、顧問を歴任し、半導体デバイス分野などで多くの実績をあげた。NEC顧問を務めながら多摩大学大学院教授として社会人の教育に従事^[2]^[3]、1998年より多摩大学名誉教授。

人物・学歴

鹿児島県出身^[1]^[2]^[3]^[4]
1938年鹿児島県立第二鹿児島中学校 (旧制) 入学
1940年広島陸軍幼年学校入学
1943年陸軍航空士官学校^[2] 入学
1949年日本大学工学部（現日本大学理工学部）電気工学科卒業^[3]^[4]
1953年オハイオ州立大学大学院 (修士課程) 修了修士号 (M. Sc) 取得
1956年オハイオ州立大学大学院 (博士課程) 修了博士号（Ph.D.）取得^[3]^[4]^[2]
1958年東北大学工学博士号取得^[2]^[3]^[5] 論文 “Theoretical and experimental study on the millimeter-wave cavity Barkhausen-kurz oscillator”^[5]

世界に先駆けたGaAsパラメトリック増幅器の開発など^[4]半導体デバイス分野で多くの業績を残す^[1]^[4]。

^ ^a ^b ^c ^d 『デジタル版日本人名大辞典+Plus』（講談社、2015年）-コトバンク版 2020年3月28日閲覧
^ ^a ^b ^c ^d ^e ^f ^g ^h ⁱ ^j ^k ^l ^m ⁿ 『戦略的技術経営（ＭＯＴ）のすすめ』（日刊工業新聞社、2004年）著者略歴
^ ^a ^b ^c ^d ^e ^f ^g ^h ⁱ ^j ^k ^l ^m ⁿ ^o 公益財団法人電気電子情報学術振興財団-植之原道行略歴 2020年3月28日閲覧
^ ^a ^b ^c ^d ^e ^f ^g 『「現代日本」朝日人物事典』（朝日新聞社、1990年）
^ ^a ^b CiNii博士論文-植之原道行 2020年3月28日閲覧
^ 電子情報通信学会歴代功績賞受賞者一覧
^ 電子情報通信学会歴代名誉員一覧
^ 名誉員植之原道行
^ 歴代副会長一覧電子情報通信学会
^ 歴代編集長一覧電子情報通信学会

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うえのはらみちゆき植之原道行
研究分野	電子デバイス半導体デバイス
研究機関	オハイオ州立大学 (OSU) ベル研究所 (OSU) 日本電気 (NEC) 多摩大学大学院
出身校	オハイオ州立大学 (Ph. D.)
主な業績	GaAsパラメトリック増幅器の開発
主な受賞歴	功績賞 (電子情報通信学会) 高柳記念賞 IEEE Microwave Pioneer 賞 IEEE Frederic Philips 賞紺綬褒章
プロジェクト:人物伝
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