ナノスケールの半導体中で実現とは? わかりやすく解説

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ナノスケールの半導体中で実現

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/07/07 08:34 UTC 版)

シュテルン=ゲルラッハの実験」の記事における「ナノスケールの半導体中で実現」の解説

2012年東北大学京都大学東邦大学日本電信電話らの研究グループは、強磁性材料外部磁場を全く用いずに、半導体中を流れ電子スピン一方向揃え手法確立した。本実験は、量子力学基本原理であるシュテルンゲルラッハ効果をナノスケールの半導体中で実現したことに相当する

※この「ナノスケールの半導体中で実現」の解説は、「シュテルン=ゲルラッハの実験」の解説の一部です。
「ナノスケールの半導体中で実現」を含む「シュテルン=ゲルラッハの実験」の記事については、「シュテルン=ゲルラッハの実験」の概要を参照ください。

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Weblio辞書に掲載されている「ウィキペディア小見出し辞書」の記事は、Wikipediaのシュテルン=ゲルラッハの実験 (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、GNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。

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