ナノスケールの半導体中で実現
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/07/07 08:34 UTC 版)
「シュテルン=ゲルラッハの実験」の記事における「ナノスケールの半導体中で実現」の解説
2012年に東北大学、京都大学、東邦大学、日本電信電話らの研究グループは、強磁性材料や外部磁場を全く用いずに、半導体中を流れる電子のスピンを一方向に揃える手法を確立した。本実験は、量子力学の基本原理であるシュテルン−ゲルラッハ効果をナノスケールの半導体中で実現したことに相当する。
※この「ナノスケールの半導体中で実現」の解説は、「シュテルン=ゲルラッハの実験」の解説の一部です。
「ナノスケールの半導体中で実現」を含む「シュテルン=ゲルラッハの実験」の記事については、「シュテルン=ゲルラッハの実験」の概要を参照ください。
- ナノスケールの半導体中で実現のページへのリンク