ドナーキラーアニーリング
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/08 05:45 UTC 版)
「シリコンウェハー」の記事における「ドナーキラーアニーリング」の解説
CZ法やMCZ法によって単結晶を製造すると石英るつぼから溶け込んだ酸素原子が高温状態によって互いに集合する。CZ法では酸素原子が1018個/cm3程も溶け込む。 この酸素原子のかたまりは電子を放出するドナーとなることで、局所的に電子の通過を阻害し電気的には抵抗となる。これによりドーパントで制御された抵抗値からずれるため、このドナーとなった酸素原子を分散させるための熱処理がドナーキラーアニーリング加工である。この工程ではウエハーを不活性ガス中で600–700℃に短時間加熱する。この処理は加工応力の緩和や結晶欠陥の低減等も兼ねる。
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