出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/23 03:25 UTC 版)
ウェハー上への回路形成が完了したら、半導体試験装置を用いて回路が正常に機能するかを確認するウェハーテストを行う。半導体の動作特性は温度にも左右されるため、常温に加え高温や低温下での試験も行われる。 ウェハーテストの結果はダイにマーキングされ、後述する後工程では良品とマークされたダイのみが組み立て対象となる。
※この「ウェハーテスト」の解説は、「集積回路」の解説の一部です。
「ウェハーテスト」を含む「集積回路」の記事については、「集積回路」の概要を参照ください。
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