Static Random Access Memory
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/01/30 15:13 UTC 版)
種類
nvSRAM
nvSRAMはSRAMを内蔵しているが、主電源が切れた状態でも重要なデータを保持することができる不揮発性メモリである。nvSRAMの用途は幅広く、ネットワーク、航空宇宙、医療などで利用されている。電池を内蔵する方式のBBSRAM (Battery Backup SRAM) もnvSRAMと呼ばれることがあるが、大容量コンデンサと不揮発性メモリセルを内蔵していて、主電源が切れるとコンデンサに蓄えた電力を使って自動的にSRAMから不揮発性メモリにデータを転送して保持する方式のnvSRAMもある。
非同期SRAM
非同期SRAMは4Kbから32Mbのものがある。アクセス速度が高速であるため、キャッシュを持たない組み込みプロセッサの主記憶装置としてよく使われており、パワーエレクトロニクスなどの制御装置(自動車の車載エレクトロニクスなど)、計測システム(ICテスタ)、ハードディスクドライブ、ネットワーク機器(スイッチ、ルーター、IP電話、DSLAM)など様々な機器に使われている。
トランジスタの種類による分類
- バイポーラトランジスタ - TTLやECLで使用。非常に高速だが消費電力が大きい。
- MOSFET - CMOSで使用。低消費電力であり、今日の主流である。
機能による分類
- 非同期 - クロック信号とは独立しており、アドレスの変化によってデータの読み書きを制御する。
- 同期 - クロック信号の変わり目(エッジ)を全てのタイミングに使用する。アドレス、データ、その他の制御信号も全てクロックに同期している。
特徴による分類
- ZBT (zero bus turnaround) - ターンアラウンドとは、SRAMが「書き込み」から「読み取り」に遷移するときなどにかかるクロック数である。ZBT SRAMではこのターンアラウンドまたはレイテンシがゼロとなっている。
- syncBurst - 同期バースト書き込みアクセスが可能なSRAM。書き込み速度が向上する。
- DDR SRAM - 同期式、単一読み書きポートで、入出力がDDR(ダブルデータレート)となっているSRAM。
- QDR SRAM - 同期式、読み取りポートと書き込みポートが独立しており、入出力がQDR(クアドラプルデータレート)となっているSRAM。
注釈
- ^ そのような動作モードを設計としてハードウェア的に持っている製品もある。
出典
- ^ Sergei Skorobogatov (June 2002). Low temperature data remanence in static RAM. University of Cambridge, Computer Laboratory 2008年2月27日閲覧。.
- ^ A 160 mV Robust Schmitt Trigger Based Subthreshold SRAM
- ^ United States Patent 6975532: Quasi-static random access memory
- ^ United States Patent 6975531: 6F2 3-transistor DRAM gain cell
- ^ 3T-iRAM(r) Technology
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