トライゲート
別名：トライゲートトランジスタ
【英】Tri-gate, Tri-gate transistor
参照リンク
Integrated CMOS Tri-Gate Transistors - （Intel。英語）
【英】Tri-gate, Tri-gate transistor
トライゲートとは、トランジスタの集積技術の一種で、電流を制御する役割をもつ「ゲート」を立体的に配置し、従来のように平面（1面）で制御するのではなく、3面を使用して制御できるようにする技術のことである。
トランジスタは「ソース」と「ドレイン」の間に電流を流し、その流れをゲートが制御することによって駆動している。トランジスタの集積技術が微細化すればするほど、電流の漏れが大きくなり、余分な電力を消費するなどの問題が生じるため、ゲートを余分に大きく取ることで漏れを防ぐなどの対応が取られてきた。
これに対して、トライゲートは3面を使用して電流を制御をできる。そのため、制御の効率がよいという大きな特徴がある。これによって、従来のようにゲートを長く取らなくても高精度の制御が可能になり、ゲートが短い分だけトランジスタに一度に流せる電流も増やすことができるようになる。
Intelは2011年5月に、次世代のCPUとなる製造プロセス22nmの「Ivy Bridge」（開発コード名）において、トライゲートを採用すると発表している。
参照リンク
Integrated CMOS Tri-Gate Transistors - （Intel。英語）
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