マルチゲート素子
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マルチゲート素子(マルチゲートそし、英: multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET)とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。
注釈
- ^ 英: short channel effect
- ^ MOSトランジスタのソースとドレインの距離が縮まりチャンネル長が短縮することで、しきい値電圧が低下する現象である。
- ^ セルフ・アライメントとは他の構築済みパターンの縁などを利用してそれに続く新たなパターンを作ることである。位置合わせが実質不要となり、位置精度も向上する。
- ^ a b 英: tri-gate
- ^ Intel Senior FellowのMark Bohrによれば「32nm世代に利用するプレーナ型トランジスタに比べると、(22nm世代でTri-Gateトランジスタを採用すれば)消費電力は半分以下に削減できる」「Tri-Gateトランジスタ技術の利用により、半導体ウエハーの加工コストは2-3%上昇する」とされる。
- ^ 英: gate-all-around FET
出典
- ^ multiple independent gate field effect transistor
- ^ Risch, L. "Pushing CMOS Beyond the Roadmap", Proceedings of ESSCIRC, 2005, p. 63
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- 1 マルチゲート素子とは
- 2 マルチゲート素子の概要
- 3 課題
- 4 関連項目
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