static induction transistor

デジタル大辞泉

エス‐アイ‐ティー【SIT】

読み方：えすあいてぃー

《static induction transistor》電界効果トランジスター（FET）の一種。静電誘導効果によって半導体内の電位を変調することでドレーン電流を制御する半導体増幅素子。西沢潤一が考案。大電流の高周波増幅に向き、パワー半導体として利用される。静電誘導トランジスター。

ウィキペディア

静電誘導トランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/09/11 06:30 UTC 版)

静電誘導トランジスタ（せいでんゆうどうトランジスタ、英語: Static Induction Transistor (SIT)）とは、高周波特性を改善した電力用半導体素子である。

概要

電界効果トランジスタ (FET: Field Effect Transistor) の一種で1950年に東北大学の西澤潤一によって開発された^[1]。 チャネル抵抗を極限まで減少させるためチャネルを短く、濃度を低めにすることで、負帰還効果が起きず、ドレイン電流はドレイン電圧の増加とともにチャネル電流が飽和しない静電誘導効果を利用してソースとチャネルの境界のポテンシャル形状でドレイン電流が制御できるようにした事により3極真空管型特性が得られる^[1]。高速動作・低損失で、高周波増幅器などに使用され、信号波形の忠実な増幅が可能。

関連項目

• 静電誘導サイリスタ
• チョッパ制御
• 半導体リレー

特許

• アメリカ合衆国特許第 4,199,771号
• アメリカ合衆国特許第 4,326,209号
• アメリカ合衆国特許第 4,811,064号
• アメリカ合衆国特許第 4,952,996号
• アメリカ合衆国特許第 5,038,188号
• アメリカ合衆国特許第 5,169,795号
• アメリカ合衆国特許第 5,296,403号
• アメリカ合衆国特許第 5,663,582号

脚注

1. ^ ^{a b} 静電誘導トランジスタ（SIT）オーディオ増幅器発売

外部リンク

• 静電誘導型半導体デバイスの製造方法

表 話 編 歴 半導体
分類	P型半導体 N型半導体 真性半導体 不純物半導体
種類	窒化物半導体 酸化物半導体 アモルファス半導体 磁性半導体 有機半導体
半導体素子	集積回路 マイクロプロセッサ 半導体メモリ TTL論理素子
バンド理論	バンド構造 バンド図 バンド計算 第一原理バンド計算 伝導帯 価電子帯 禁制帯 フェルミ準位 不純物準位 自由電子 正孔 ドーパント ドナー アクセプタ 物性物理学
トランジスタ	バイポーラトランジスタ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ 薄膜トランジスタ MOSFET パワーMOSFET CMOS HEMT サイリスタ 静電誘導サイリスタ ゲートターンオフサイリスタ UJT
関連	ダイオード 太陽電池
関連項目	pn接合 ホモ接合 ヘテロ接合 単一ヘテロ接合 ダブルヘテロ接合 空乏層 金属半導体接合 ショットキー接合 オーミック接触 電子工学 パワーエレクトロニクス 電力用半導体素子 光エレクトロニクス 電子回路 増幅回路 高周波回路 半導体工学 半導体デバイス製造 金属 絶縁体 熱酸化 フィラデルフィア半導体指数
カテゴリツリー コモンズ・カテゴリツリー

表 話 編 歴 電子部品
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可変	ポテンショメータ digital エアバリコン バリキャップ
受動	コネクタ AV端子 電源 RF en:Electrolytic detector フェライト ヒューズ resettable 抵抗器 開閉器 サーミスタ 変圧器 バリスタ 針金 en:Wollaston wire
リアクタンス	コンデンサ types セラミック発振子 水晶振動子 インダクタ パラメトロン 継電器 en:reed relay 水銀スイッチ

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