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DRAM
読み方：ディーラム
別名：Dynamic RAM，ダイナミックRAM
DRAMとは、半導体メモリの一種で、コンデンサに電荷を蓄積することで情報を保持するタイプの半導体メモリのことである。
DRAMは、コンデンサに電荷があるかないかを、2進法の0と1に対応させることで、データの記憶を行う。コンデンサ1個に対して1ビットの情報が与えられる。蓄えられた電荷は、放置すると自然に放電されてしまうので、記憶内容を保持し続けるために、リフレッシュと呼ばれる再度のデータの書き込みが周期的に行われる。
DRAMはRAM（Random Access Memory）と呼ばれる半導体メモリの方式の一種である。RAMの分類としては、DRAMの他にSRAM（Static RAM）がある。SRAMはトランジスタによって構成されるフリップフロップ回路を利用して、0と1を記憶している。このため、DRAMのようにリフレッシュを行わなくてもデータを保持し続けることが可能となっている。リフレッシュが必要なDRAMは「Dynamic（動的な）RAM」、リフレッシュが不要なSRAMは「Static（静的な）RAM」である。
DRAMではリフレッシュを行っている限りにおいてデータを保持し続けることが可能であるが、電源の供給を止めると放電されデータが消失する。なお、SRAMも同様に電源の供給がなくなればデータが消失する。
DRAMは記憶素子1個につき1ビットの情報を持つことができるが、SRAMでは記憶素子を6個の用いて1ビットの情報を持つ。このため、同じRAMの一種でもSRAMよりDRAMの方が、より高密度化・大容量化を容易に、かつ低コストで実現できる。大容量で低コストな半導体メモリの需要が高く、今日ではメモリの仕組みとしてもっぱらDRAMが採用されている。
DRAMは、データへのアクセス方法やアクセス速度などの違いにより、EDO DRAM、バーストEDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAMなど複数の種類に分かれる。2008年8月現在、PCのメインメモリとしては、DDR2 SDRAMが主に利用されている。
なお、パソコン用のメモリは、DRAM単体ではなく、複数のDRAMをひとつの基板上に搭載したメモリモジュールとして市販されている。
| RAM： | DDR400 DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DRAM DDR SDRAM DDR2-1000 DDR2-533 |
ウィキペディア |
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Dynamic Random Access Memory
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2011/12/17 13:22 UTC 版)
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリの1種である。記憶素子であるRAMの1種で、リフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリによるRAMである。コンピュータの主記憶装置やデジタル・テレビやデジタル・カメラなど多くの情報機器の記憶装置に用いられる。
DRAMは、キャパシタ（コンデンサ）に電荷を蓄えることにより情報を記憶し、電源供給が無くなると記憶情報も失われる揮発性メモリであるために、長期記録の用途には向かず、情報処理過程の一時的な作業記憶の用途に用いられる。
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- ^ CCDに代わる画像素子として、1988年にMicron Technology社よりOptic RAMという商品名で発売された。
- ^ 磁気コアに代わるメモリとしてDRAM製造に着手した米インテルは、ダイの状態では問題が無いのにパッケージにするとソフトエラーが多発する問題に遭遇し、原因を追及し、パッケージのセラミックスにアルファ線を放出する物質が含まれている事をパッケージ製造元である京セラと共に突き止めた。インテルはこの現象を京セラに極秘にするよう要請し、DRAM用パッケージは京セラが作った特注パッケージを使用した。インテル自身がインテル・1と呼ぶ半導体巨大企業へ発展する第一歩はソフトエラーの秘密によって市場から競合メーカーを追い出す事によって始まったとされる。電子立国日本の自叙伝 単行本においてパッケージの秘密をインテル自身が解説した。
- ^ 世界最薄DRAM開発、エルピーダメモリ。本県で生産、出荷へ 秋田魁新報 2011年6月23日
- ^ DRAMに限らずデジタル用電子部品では、旧型化して市場で流通しなくなった物は新たに登場した部品と比べて性能で著しく劣ることが多く保守部品としてのわずかな需要を残すだけとなって価格が高くなる事が多い。このため、中古ではない旧形式のDRAMをわざわざ新規製品の設計に使用することはあまり考えられない。
- ^ 韓国Samsung Electronics社は2009年6月17日に、サーバー向けにパッケージあたり16GビットのレジスタードDDR3モジュールを開発したと発表した。電源電圧は1.35Vで1つ4Gビットのダイを4枚内蔵している。
- ^ 512Mビット（64M語×8、DDR2 667Mビット/秒）製品の価格が2006年11月は6.5米ドルだったものが2008年12月8日0.31米ドルまで低下した。
- ^ 2008年第算四半期の決算では、Samsung社が前年同期比約78%減ながら1,900億ウォンの営業利益を、Hynix社が4,650億ウォンの、エルピーダメモリ社が245億円の営業損失を報告した。
- ^ a b 小林春洋著 『わかりやすい高密度記録技術』 日刊工業新聞社 2008年9月28日発行 ISBN 978-4-526-06129-5
- ^ a b c 菊池正典監修 『半導体とシステムLSI』 日本実業出版社、2006年7月1日初版発行、ISBN 4-534-04086-5
- ^ [1]
- ^ 神保進一著 『マイクロプロセッサ テクノロジ』 日経BP社 1999年12月6日発行 ISBN 4-8222-0926-1
- ^ 『負の連鎖から脱出せよ』 日経エレクトロニクス 2009年1月12日号 37-69頁
- ^ JETROニュースページ 『半導体大手キマンダが倒産−1万人の雇用に影響か−（ドイツ）』
- ^ 毎日新聞ニュースサイト 『エルピーダメモリ：改正産業再生法、活用を検討』
- ^ 共同通信 (2009年6月18日). “エルピーダ、産業再生法申請へ １９日に、認定第１号”. 47NEWS 2011年2月12日閲覧。
- ^ “新聞等による報道について”. エルピーダメモリ株式会社 (2009年6月19日). 2011年2月12日閲覧。
- ^ “エルピーダメモリ産業活力の再生及び産業活動の革新に関する特別措置法の認定取得に関するお知らせ (PDF)”. エルピーダメモリ株式会社 (2009年6月30日). 2011年2月12日閲覧。
- 1 Dynamic Random Access Memoryとは
- 2 Dynamic Random Access Memoryの概要
- 3 リフレッシュ
- 4 技術の変遷
- 5 種別
- 6 DRAM業界
