1T1C型
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/12 03:10 UTC 版)
書き込み時にはワード線でセルである強誘電体キャパシターを選択し、ビット線とソースプレートの間に電圧を印加して強誘電体膜を分極させる。読み出し時にはパルス電圧を加えて分極反転による電流が流れたかどうかでセルに蓄えられたデータをセンスアンプで判定する。この時、分極は元の状態に依らずに電圧印加方向を向く（同方向ならば電流が流れず、反対方向ならば分極反転して電流が生じる。）ので、破壊読出しとなる。このため、読み出す時には必ず再書き込みを必要とするので、書き込み回数に読み出し回数も含まれる。 キャパシター膜が常誘電体でなく強誘電体であるので、FETにリーク電流が有ったり電源が遮断されてもキャパシターの電荷を失わない（データが消えない）。つまり、不揮発メモリであると同時にリフレッシュが不要であるため、消費電力が少ない。
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