アールイーラム

デジタル大辞泉

アールイー‐ラム【ReRAM】

読み方：あーるいーらむ

《resistance RAM》⇒抵抗変化メモリー

IT用語辞典バイナリ

ReRAM

フルスペル：Resistive RAM, Resistive Random Access Memory
読み方：アールイーラム
別名：抵抗変化メモリ，抵抗変化型メモリ

ReRAMとは、半導体メモリの一種で、電圧を加える（印加する）と電気抵抗の値が変化する金属酸化物の素子を利用して、データを保持する方式の不揮発性メモリのことである。

ReRAMは、金属酸化物を電極を挟んだ構造をしており、従来の一般的な不揮発性メモリに比べて構造が単純である。そのため、微細化・高密度化に適するという特徴がある。また、読み出し時間も高速である。消費電力も少なく、不揮発性メモリであるため待機電力を必要としない。

ReRAMの原理は1990年代に発見された。2010年代に入り量産・実用化が現実的な程度まで研究が進みつつある。2012年1月にはエルピーダメモリがReRAMの開発に成功したと発表し。同年2月にはパナソニックが多層構造のクロスポイント型ReRAMの開発に成功したと発表した。

---

参照リンク
新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功 - （エルピーダメモリ株式会社 ニュースルーム 2012年1月24日）
2層構造のクロスポイント型で新ReRAMを開発 - （パナソニック株式会社 プレスリリース 2012年2月23日）

半導体メモリのほかの用語一覧

RAM：	RIMM2100  RIMM4200  RAMDAC  ReRAM  リフレッシュ  リフレッシュサイクル  SDRAM DIMM

>>RAMカテゴリの他の用語