出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/26 23:17 UTC 版)
「共鳴トンネルダイオード」の記事における「III-V RITD」の解説
III-V族半導体を用いるRITDとしては、InAlAs/InGaAs RITD が室温において70から144の間のPVCRを実現しており、スズベースのRITDも室温でPVCR 20を実現している。III-V RITD の主な欠点は、Siプロセスと非互換なことと、高価なことである。
※この「III-V RITD」の解説は、「共鳴トンネルダイオード」の解説の一部です。
「III-V RITD」を含む「共鳴トンネルダイオード」の記事については、「共鳴トンネルダイオード」の概要を参照ください。
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