静電シールド内蔵フォトカプラ

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静電シールド内蔵フォトカプラ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/10/12 01:02 UTC 版)

「電磁両立性」の記事における「静電シールド内蔵フォトカプラ」の解説

トライアックなどパワー半導体の前段で使用されるフォトカプラは発光側と受光側が絶縁されているがゆえに寄生容量があり、誤動作することが知られている。スナバ回路を使用して改善させることが一般的だが、静電シールド内蔵のフォトカプラはよりノイズに強いとされている。